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長期契約などで3年先まで需要を確保
韓国半導体大手SKハイニックスは28日、DRAMと高帯域幅メモリー(HBM)について、2029年までの生産分が事実上すべて販売済みとの見通しを示した。2026年7~9月期の決算説明会で、すでに締結した長期供給契約(LTA)と、顧客が具体的な購入計画に基づいて協議している数量を合算した。
同社はLTAを拡大し、中長期の需要を見通しやすくすることで、安定した売上高と利益の成長につなげる方針だ。協議中の数量についても、実現する可能性が高い需要だとしている。
配当と自社株取得に90兆ウォン以上
2026会計年度には、現金配当に30兆ウォン以上、自社株の取得・消却に60兆ウォン以上を充て、総額90兆ウォン以上の株主還元を進める。設備投資などを除いたフリーキャッシュフローの50%以上を活用する計画だ。
自社株は四半期ごとに取得し、実際の規模は株価や企業価値、資金繰りを踏まえて各四半期の取締役会が決める。同社は現在の株価が利益やキャッシュフローを十分に反映しておらず、割安だと判断している。
キオクシアへの投資収益も特別配当に
日本との接点では、半導体大手キオクシアへの投資で得た収益の大半を特別配当として株主に還元する。今年7~9月期にまず1株当たり1万ウォンを支給し、残額は投資成果が最終確定する2026年の期末配当に反映する予定だ。
郭魯正(クァク・ノジョン)社長は、事業の成長と投資成果が積み上がるほど、株主に還元する成果も大きくすべきだとの考えを示した。
次世代HBM、10~12月期に主力交代へ
次世代品「HBM4」の歩留まりは従来目標を上回り、目標値を引き上げた。「HBM3E」も当初設定した成熟段階の歩留まりを超えており、前工程と後工程の双方で業界最高水準を維持しているという。2026年10~12月期からは、HBM4が出荷量と売上高でHBM3Eを上回ると見込む。
生産設備への投資拡大がメモリーの供給過剰につながる可能性は低いとの見方も示した。高性能品の比率上昇や製造工程の複雑化により、同じ生産量でも多くの設備資源が必要になるためだ。新工場は先端工程への移行と高付加価値品の生産に重点を置き、基盤設備を先行して整えたうえで、製造装置の導入と生産能力の拡大は顧客需要や投資採算を見ながら段階的に進める。
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